产 品 中 心
合成石英环及 Poly-Si 零部件系列产品，满足半导体刻蚀工艺多样化需求
TOP RING
顶部环，用于刻蚀工艺关键部位，确保工艺稳定性
技术规格
- 外径：200-450mm
- 内径：50-200mm
- 高度：10-50mm
- 纯度：99.999%
应用领域
介质刻蚀导体刻蚀硅刻蚀
BOTTOM RING
底部环，精密加工确保基座稳定性，延长使用寿命
技术规格
- 外径：250-500mm
- 内径：80-250mm
- 高度：15-60mm
- 纯度：99.999%
应用领域
等离子刻蚀反应离子刻蚀深硅刻蚀
COMBO RING
组合环，多功能集成设计，适配复杂工艺需求
技术规格
- 外径：300-550mm
- 内径：100-300mm
- 高度：20-80mm
- 纯度：99.999%
应用领域
多工艺集成高精度刻蚀先进封装
FOCUS RING
聚焦环，精确控制等离子体分布，提升刻蚀均匀性
技术规格
- 外径：150-400mm
- 内径：30-150mm
- 高度：8-40mm
- 纯度：99.999%
应用领域
精细刻蚀纳米级加工3D 结构刻蚀
SINGLE RING
单环结构，简化设计，适用于标准刻蚀工艺
技术规格
- 外径：100-350mm
- 内径：20-100mm
- 高度：5-30mm
- 纯度：99.999%
应用领域
标准刻蚀批量生产成本优化
CUSTOM SERIES
定制系列石英环，用于刻蚀腔体核心部件，提供优异的电绝缘性和热稳定性
技术规格
- 外径：150-400mm
- 内径：100-350mm
- 高度：200-600mm
- 纯度：99.999%
应用领域
刻蚀腔体等离子体生成高温工艺
FOCUS RING (Poly-Si)
Poly-Si聚焦环，TEL刻蚀设备专用，用于替代单晶硅部件，提升工艺性能
技术规格
- 材质：多晶硅
- 设备：TEL刻蚀机
- 应用：Poly-Si刻蚀
- 特性：高纯度、均匀性
应用领域
Poly-Si刻蚀TEL设备单晶硅替代
ELECTRODE PLATE, SI DMC
硅电极板，TEL刻蚀设备核心部件，替代传统单晶硅电极
技术规格
- 材质：多晶硅
- 设备：TEL刻蚀机
- 应用：电极组件
- 特性：导电均匀
应用领域
电极组件TEL设备硅替代部件
COVER, ELECTRODE OUTER
电极外罩，保护电极组件，确保刻蚀工艺稳定性
技术规格
- 材质：多晶硅
- 设备：TEL刻蚀机
- 应用：电极保护
- 特性：耐高温
应用领域
电极保护TEL设备工艺稳定
ELECTRODE PLATE
电极板，TEL刻蚀设备关键部件，提供稳定的等离子体分布
技术规格
- 材质：多晶硅
- 设备：TEL刻蚀机
- 应用：等离子体生成
- 特性：高耐久性
应用领域
等离子体生成TEL设备刻蚀工艺
合成石英 vs 天然石英
合成石英采用先进 CVD 工艺制造，相比天然石英具有显著优势， 是半导体刻蚀工艺的理想选择。
- 纯度高达 99.999%
- 无气泡、金属杂质含量低，不会造成 Defect issue
- 羟基含量比天然石英低，耐腐蚀性强
- 平均 Lifetime 对比天然石英增加 50%
99.999%
纯度
+50%
Lifetime 提升
0%
气泡含量
低
羟基含量